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品类: 双极性晶体管描述: Darlington PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。466910-99¥8.7120100-499¥8.2764500-999¥7.98601000-1999¥7.97152000-4999¥7.91345000-7499¥7.84087500-9999¥7.7827≥10000¥7.7537
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品类: 双极性晶体管描述: Trans GP BJT PNP 60V 10A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R51865-24¥1.768525-49¥1.637550-99¥1.5458100-499¥1.5065500-2499¥1.48032500-4999¥1.44765000-9999¥1.4345≥10000¥1.4148
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品类: 双极性晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KSH50TF 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 10 MHz, 15 W, 1 A, 10 hFE273510-99¥8.7120100-499¥8.2764500-999¥7.98601000-1999¥7.97152000-4999¥7.91345000-7499¥7.84087500-9999¥7.7827≥10000¥7.7537
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品类: 双极性晶体管描述: Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2Pin, DPAK-341535-24¥3.429025-49¥3.175050-99¥2.9972100-499¥2.9210500-2499¥2.87022500-4999¥2.80675000-9999¥2.7813≥10000¥2.7432
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品类: IGBT晶体管描述: EcoSPARKTM 300mJ , 400V , N沟道IGBT点火 EcoSPARKTM 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT642020-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: MOS管描述: 11A , 200V , 0.275 Ohm的N通道, UltraFET功率MOSFET 11A, 200V, 0.275 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs349810-49¥1.107050-99¥1.0496100-299¥1.0086300-499¥0.9840500-999¥0.95941000-2499¥0.93482500-4999¥0.8979≥5000¥0.8897
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3Pin(2+Tab) TO-252AA T/R848810-99¥8.0160100-499¥7.6152500-999¥7.34801000-1999¥7.33462000-4999¥7.28125000-7499¥7.21447500-9999¥7.1610≥10000¥7.1342
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品类: MOS管描述: 18A , 150V , 0.110 Ohm的N通道, UltraFET功率MOSFET 18A, 150V, 0.110 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET454520-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: MOS管描述: MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK272420-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 150V 4.3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R96505-24¥5.089525-49¥4.712550-99¥4.4486100-499¥4.3355500-2499¥4.26012500-4999¥4.16595000-9999¥4.1282≥10000¥4.0716
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品类: MOS管描述: N沟道 400V 2A900310-49¥0.972050-99¥0.9216100-299¥0.8856300-499¥0.8640500-999¥0.84241000-2499¥0.82082500-4999¥0.7884≥5000¥0.7812
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 500V 1.1A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R945520-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 250V 7.4A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R431720-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: MOS管描述: 80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFET661810-49¥0.837050-99¥0.7936100-299¥0.7626300-499¥0.7440500-999¥0.72541000-2499¥0.70682500-4999¥0.6789≥5000¥0.6727
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品类: MOS管描述: N沟道 200V 7A79215-24¥2.052025-49¥1.900050-99¥1.7936100-499¥1.7480500-2499¥1.71762500-4999¥1.67965000-9999¥1.6644≥10000¥1.6416
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 60V 17.2A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R323710-99¥7.8720100-499¥7.4784500-999¥7.21601000-1999¥7.20292000-4999¥7.15045000-7499¥7.08487500-9999¥7.0323≥10000¥7.0061
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品类: MOS管描述: N沟道 500V 2.6A63525-24¥4.023025-49¥3.725050-99¥3.5164100-499¥3.4270500-2499¥3.36742500-4999¥3.29295000-9999¥3.2631≥10000¥3.2184
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品类: MOS管描述: N沟道 500V 1.6A958310-49¥1.134050-99¥1.0752100-299¥1.0332300-499¥1.0080500-999¥0.98281000-2499¥0.95762500-4999¥0.9198≥5000¥0.9114
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R97405-24¥1.471525-49¥1.362550-99¥1.2862100-499¥1.2535500-2499¥1.23172500-4999¥1.20455000-9999¥1.1936≥10000¥1.1772
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品类: IGBT晶体管描述: EcoSPARK®2 335mJ , 400V , N沟道IGBT点火 EcoSPARK®2 335mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT185710-99¥9.6720100-499¥9.1884500-999¥8.86601000-1999¥8.84992000-4999¥8.78545000-7499¥8.70487500-9999¥8.6403≥10000¥8.6081
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 250V 41A 3Pin TO-252 T/R24125-49¥12.647750-199¥12.1072200-499¥11.8045500-999¥11.72891000-2499¥11.65322500-4999¥11.56675000-7499¥11.5127≥7500¥11.4586
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT,Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。53315-24¥6.318025-49¥5.850050-99¥5.5224100-499¥5.3820500-2499¥5.28842500-4999¥5.17145000-9999¥5.1246≥10000¥5.0544
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。60815-24¥2.389525-49¥2.212550-99¥2.0886100-499¥2.0355500-2499¥2.00012500-4999¥1.95595000-9999¥1.9382≥10000¥1.9116
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品类: MOS管描述: PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,Fairchild Semiconductor 设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。35035-24¥5.089525-49¥4.712550-99¥4.4486100-499¥4.3355500-2499¥4.26012500-4999¥4.16595000-9999¥4.1282≥10000¥4.0716
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品类: MOS管描述: 80V,4.2mΩ,100A,N沟道MOSFET15585-49¥14.086850-199¥13.4848200-499¥13.1477500-999¥13.06341000-2499¥12.97912500-4999¥12.88285000-7499¥12.8226≥7500¥12.7624
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品类: MOS管描述: 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET161020-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。60625-24¥3.469525-49¥3.212550-99¥3.0326100-499¥2.9555500-2499¥2.90412500-4999¥2.83995000-9999¥2.8142≥10000¥2.7756
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。662810-99¥8.7120100-499¥8.2764500-999¥7.98601000-1999¥7.97152000-4999¥7.91345000-7499¥7.84087500-9999¥7.7827≥10000¥7.7537
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品类: MOS管描述: UltraFET® MOSFET,Fairchild Semiconductor UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。319510-99¥7.7280100-499¥7.3416500-999¥7.08401000-1999¥7.07112000-4999¥7.01965000-7499¥6.95527500-9999¥6.9037≥10000¥6.8779
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。60435-24¥4.090525-49¥3.787550-99¥3.5754100-499¥3.4845500-2499¥3.42392500-4999¥3.34825000-9999¥3.3179≥10000¥3.2724